
A solução encontrada para diminuir as memórias foi o uso de células 1T-DRAM, que armazenam informações diretamente no transistor e eliminam o capacitor. Isso cria espaço para mais transistores e possibilita, ao mesmo tempo, a detecção do estado da célula e o armazenamento dos dados.
Invenção permite criação de células de memória menores do que 20nm
Desde a criação das memórias RAM, por Robert Dennard, nos anos 60, seu conceito tem permanecido intocado. Cada bit de informação é armazenado como uma carga elétrica em uma célula composta por um transistor e um capacitor. Este último permite acesso à carga e, consequentemente ao dado.
Atualmente é possível encontrar células de memória menores do que 20nm (1 nm é o mesmo que 1m divido em um bilhão de partes) e um chip com capacidade de vários gigabites. No entanto, as possibilidades de redução estão se esgotando devido ao mínimo de carga necessário para distinguir entre os estados de um bit, 0 ou 1. Com o A2RAM, ao invés de se diminuir os transistores, elimina-se um componente criando mais espaço.
A invenção é protegida por dez patentes internacionais, incluindo o Japão, os EUA, a Coréia e a União Européia. Companhias como as coreanas Samsung e a Hynix e a americana Micron já se mostraram interessadas por esta inovação.
Os resultados da validação experimental foram publicados no jornal IEEE Electron Device Letters e foram recentemente apresentados na International Silicon on Insulator Technology Conference, em San Francisco, EUA.
via techtudo