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terça-feira, 27 de novembro de 2012

Cientistas criam padrão A2Ram para diminuir células de memória

Os cientistas Noel Rodríguez e Francisco Gámiz, membros do Laboratório de Nanoeletrônica da Universidade de Granada, na Espanha, criaram, em colaboração com o laboratório francês CEA-Leti, a nova célula de memória A2Ram. Este padrão poderá ampliar o poder de processamento em smartphones e tablets, ao remover os capacitores das células.
Cientistas desenvolveram uma célula de memória capaz de aumentar a capacidade de processamento (Foto: Reprodução/Science Daily)Cientistas desenvolveram uma célula de memória capaz de aumentar a capacidade de processamento (Foto: Reprodução/Science Daily)
O A2Ram, uma variação do modelo A-RAM (Advanced Random Access Memory), foi teorizado inicialmente pelos dois cientistas em 2009, mas só foi concluído recentemente. Além de resolver os problemas de miniaturização das células de memória RAM, outras vantagens da técnica são: tempos de retenção maiores dos dados no transístor, baixo consumo de energia e ampla separação entre os níveis lógicos.
A solução encontrada para diminuir as memórias foi o uso de células 1T-DRAM, que armazenam informações diretamente no transistor e eliminam o capacitor. Isso cria espaço para mais transistores e possibilita, ao mesmo tempo, a detecção do estado da célula e o armazenamento dos dados.
 Invenção permite criação de células de memória menores do que 20nm

Desde a criação das memórias RAM, por Robert Dennard, nos anos 60, seu conceito tem permanecido intocado. Cada bit de informação é armazenado como uma carga elétrica em uma célula composta por um transistor e um capacitor. Este último permite acesso à carga e, consequentemente ao dado.
Atualmente é possível encontrar células de memória menores do que 20nm (1 nm é o mesmo que 1m divido em um bilhão de partes) e um chip com capacidade de vários gigabites. No entanto, as possibilidades de redução estão se esgotando devido ao mínimo de carga necessário para distinguir entre os estados de um bit, 0 ou 1. Com o A2RAM, ao invés de se diminuir os transistores, elimina-se um componente criando mais espaço.
A invenção é protegida por dez patentes internacionais, incluindo o Japão, os EUA, a Coréia e a União Européia. Companhias como as coreanas Samsung e a Hynix e a americana Micron já se mostraram interessadas por esta inovação.
Os resultados da validação experimental foram publicados no jornal IEEE Electron Device Letters e foram recentemente apresentados na International Silicon on Insulator Technology Conference, em San Francisco, EUA.

via techtudo